Ga 7N , Ga 8N

Высокочистый Галлий 99,99999% (7N) и 99,999999% (8N) для использования в качестве источников Молекулярно Пучковой Эпитаксии (Molecular Beam Epitaxy, MBE). В ходе процесса молекулярной эпитаксии разогретые ростовые материалы и/или легирующие добавки поступают на подложку в виде молекулярных потоков. На подложке происходит их осаждение и встраивание в монокристаллическую структуру подложки.
Все партии галлия сертифицированы в "Institute for Measurement Standards Chemical Metrology" (Канада)

Ga7N 99.99999%* wt. (1 ppb = 0.0000001%)

Element	ppb	Element	ppb	Element	ppb
B	< 1	Cd	< .2	Mn	< 1
Si	< 1	Mg	< 1	P	< 1
Fe	< 2	Cr	< 1	Ni	< 1
Na	<1	Zn	< 1	In	< 1
S	< 1	Sn	< 3	Pb	< 1
Cu	< 1	Al	1	Bi	< 1

*glow discharge mass spectrometry / масспектрометрия в тлеющем разряде

Ga 8N 99.999999%* wt. (1 ppb = 0.0000001%)

Element	ppb	Element	ppb	Element	ppb
B	0,08	Cd	< .2	Mn	< 0,1
Si	< 0,4	Mg	< 0,1	P	< 0,1
Fe	1	Cr	< 0,1	Ni	< 0,1
Na	< 0,08	Zn	< 0,7	In	< 0,2
S	< 0,3	Sn	< 1	Pb	< 0,1
Cu	< 0,3	Al	0,1	Bi	< 0,2

*glow discharge mass spectrometry / масспектрометрия в тлеющем разряде