Ge

Высокочистый Германий 99,999% (5N) в виде гранул для использования в качестве источника Молекулярно Пучковой Эпитаксии (Molecular Beam Epitaxy, MBE). В ходе процесса молекулярной эпитаксии разогретые ростовые материалы и/или легирующие добавки поступают на подложку в виде молекулярных потоков. На подложке происходит их осаждение и встраивание в монокристаллическую структуру подложки.

Ge5N 99.999%

Сертификат